6月6日音书，国度学问产权局信息裸露，山东天岳先进科技股份有限公司央求一项名为“一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控安装”的专利。央求公布号为CN122147534A，央求号为CN202610414730.9，央求公布日历为2026年6月5日，央求日历为2026年3月31日，发明东说念主党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪，专利代理机构北京君慧学问产权代理事务所（平庸合资），专利代理师邢伟，分类号C30B29/36、C30B11/00。
专利选录裸露，本央求公开了一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控安装，属于SiC衬底制备本事鸿沟。所述P型SiC衬底的C面和Si面的Warp均≤100μm，所述P型SiC衬底的C面和Si面的Bow均≤60μm；所述P型SiC衬底的Si面内最大的Raman特征峰的峰值为A1，所述SiC衬底的Si面内最小的Raman特征峰的峰值为A2，|A1‑A2|≤0.1cm‑1；P型SiC衬底的C面内最大的Raman特征峰的峰值为B1，所述P型SiC衬底的C面内最小的Raman特征峰的峰值为B2，|B1‑B2|≤0.1cm‑1。该P型SiC衬底的平整度和应力漫衍更均匀，提高SiC衬底物感性能的褂讪性，世界杯体彩官网延迟器件的使用年限。
天岳先进开发于2010年11月2日，于2022年1月12日在上海证券来去所上市。公司注册地址和办公地址均波及山东省济南市。天岳先进是国内超过的碳化硅衬底坐褥商，具备本事与产能上风，投资价值突显。
亚搏中国手机版app下载天岳先进主交易务为碳化硅衬底的研发、坐褥和销售，所属申万行业为电子-半导体-半导体材料，涉选取三代半导体、半导体材料意见、碳化硅等意见板块。
2025年，天岳先进结束交易收入14.65亿元，在行业26家公司中排行第9，低于第别称有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元，高于行业中位数11.14亿元，但低于行业平均数19.89亿元。主交易务中，碳化硅半导体材料收入12.25亿元，占比83.62%；其他(补充)收入2.4亿元，占比16.38%。净利润方面，2025年为-2.09亿元，在行业中排行24/26，远低于第别称雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元，也低于行业平均数3265.85万元和中位数8178.71万元。
山东天岳先进科技股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利称号专利类型法律景况央求号央求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1一种低杂质含量的氧化镓晶体偏激助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202610410657.82026-03-31CN122013320A2026-05-12周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏2一种低应力、高平整性的P型SiC衬底与调控安装发明专利公布CN202610414730.92026-03-31CN122147534A2026-06-05党一帆、朱灿、陈鹏磊、刘鹏飞、周惠琴、张九阳、热尼亚、朱永海、靳婉琪3一种氧化镓晶体同步助长安装及助长步调发明专利公布CN202610402210.62026-03-30CN122147528A2026-06-05周惠琴、朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、朱永海、尹国先、樊志鹏4一种高平整度碳化硅晶棒偏激制备步调、制备安装发明专利实验审查的胜利、公布CN202610004935.X2026-01-05CN121989120A2026-05-08刘硕、宋猛、王凯、马立兴、热尼亚、靳婉琪5一种适用于硅碳负极的球形树脂小球及球形多孔碳偏激制备步调发明专利授权CN202511632233.82025-11-10CN121076115B2026-02-24郭兆靖、梁庆瑞、宋福州、马浩大6一种高耐压球形多孔碳偏激制备步妥洽应用发明专利实验审查的胜利、公布CN202511382485.X2025-09-25CN121342017A2026-01-16郭兆靖、宋福州、梁庆瑞7一种n型碳化硅晶体偏激液互助长步调发明专利公布CN202510946435.32025-07-09CN120945487A2025-11-14陈鹏磊、党一帆、刘鹏飞、朱灿、刘圆圆、好意思丽8一种氧化镓晶体向下助长的长晶安装及长晶步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510810956.62025-06-17CN120575323A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、宋生9一种顶部籽晶助长氧化镓单晶的安装及步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510810955.12025-06-17CN120575322A2025-09-02周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、高宇晗10一种新式布里奇曼法氧化镓单晶助长用坩埚及助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510810954.72025-06-17CN120591880A2025-09-05周惠琴、朱灿、党一帆、朱永海、陈鹏磊、刘鹏飞、赵树春11一种低倒角概况度的碳化硅衬底及双面激光倒角工艺、双面激光倒角开拓发明专利实验审查的胜利、公布CN202510701883.72025-05-28CN120568822A2025-08-29刘硕、王旗、宋猛、热尼亚、王凯、靳婉琪、李香林12一种低位错、高平整度的碳化硅衬底偏激制备步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510335295.62025-03-20CN120138807A2025-06-13王振行、赵开国、李昊、刘星、石志强、高宇晗、杨晓俐、好意思丽13一种低颓势密度碳化硅晶体、衬底及助长安装、助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510122558.52025-01-26CN119824542A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、赵树春、高宇晗、宋建、周敏14一种低基平面位错P型碳化硅晶体和衬底及助长开拓、助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510124261.22025-01-26CN119824545A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、窦文涛、张红岩、周敏、宋建、石志强15小应力晶体和衬底及可控降温速率的晶体助长安装和晶体助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510124260.82025-01-26CN119824544A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、石志强、宋建、周敏16一种P型晶体及液互助长安装和液互助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202510124259.52025-01-26CN119824543A2025-04-15朱灿、党一帆、陈鹏磊、刘鹏飞、宗艳民、刘家一又、周敏、宋建、石志强17一种长晶炉测温仪的校准检测安装发明专利实验审查的胜利、公布CN202510017290.92025-01-06CN119803729A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国18一种高效长晶炉测温仪的校准检测步调、开拓及介质发明专利实验审查的胜利、公布CN202510017294.72025-01-06CN119803730A2025-04-11马振华、宋建、阴法波、张健、庞茂鑫、宗耀国19一种黑磷碳负极偏激合成步妥洽合成开拓、包括其的电板发明专利实验审查的胜利、公布CN202510017292.82025-01-06CN119812276A2025-04-11郭兆靖、王瑞、宋福州、梁庆瑞20一种低电阻P型碳化硅晶体、碳化硅衬底及半导体单晶的液互助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202411758464.92024-12-03CN119372783A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、彭红宇、张红岩、朱智勇21一种半导体单晶的液互助长开拓和液互助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202411758461.52024-12-03CN119372759A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、陈鹏磊、周煜、刘硕22一种提高半导体晶体质料的液互助长安装及液互助长步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202411758462.X2024-12-03CN119372760A2025-01-28党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、王立凤、李印、马立兴23一种低位错、低应力的P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实验审查的胜利、公布CN202411758469.12024-12-03CN119571461A2025-03-07党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、周煜、刘硕、王立凤、张红岩24一种高质料P型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实验审查的胜利、公布CN202411758466.82024-12-03CN119615370A2025-03-14党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈超、周惠琴、张红岩、王立凤、王晓25一种行星式旋转切割半导体的切割开拓和切割步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202411665032.32024-11-20CN119388604A2025-02-07张九阳、梁庆瑞、王瑞、李印、邵殿领、孙诗甫、薛港生26一种基平面迤逦小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底发明专利实验审查的胜利、实验审查的胜利、公布CN202411665030.42024-11-20CN119507050A2025-02-25张九阳、好意思丽、彭红宇、张红岩、王永方、李祥皓、李香林、李瞳、靳婉琪27一种光程差小的半绝缘型碳化硅晶体及碳化硅衬底发明专利实验审查的胜利、实验审查的胜利、公布CN202411665021.52024-11-20CN119507049A2025-02-25张九阳、好意思丽、赵树春、李霞、张宁、刘圆圆、孟庆豪、王路平、周坤、刘浩28一种精确定位开装的感应炉发明专利实验审查的胜利、公布CN202411657186.82024-11-19CN119353918A2025-01-24张九阳、徐光明、王凯、彭红宇、李帅、孙元行、宋猛29一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底发明专利实验审查的胜利、实验审查的胜利、公布CN202411657191.92024-11-19CN119507047A2025-02-25张九阳、好意思丽、杨晓俐、高宇晗、舒天宇、方帅、宋猛、王宗玉30一种石墨化碳纤维布发明专利实验审查的胜利、公布CN202411657187.22024-11-19CN119528488A2025-02-28张九阳、宁秀秀、方帅、王宗玉、王路平、高宇晗、杨晓俐、徐光明31一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底发明专利实验审查的胜利、公布CN202411657189.12024-11-19CN119553368A2025-03-04张九阳、好意思丽、张红岩、宁秀秀、舒天宇、赵树春、李霞、王路平、潘亚妮32一种多炉台尽头气体详细哄骗开拓实用新式授权CN202422696300.X2024-11-05CN223319575U2025-09-09李文强、张健、宋建、阴法波、周敏33一种测温安装实用新式授权CN202422678993.X2024-11-04CN223691884U2025-12-19张健、张会安、王勃、卫照洋、宋建、周敏、赵树春、高高亢、张长银、滕永懂34一种曲率半径大且漫衍均匀的4H碳化硅晶棒及制备步妥洽应用发明专利授权、实验审查的胜利、公布CN202411546268.52024-11-01CN119061481B2025-03-14宋猛、王振行、好意思丽、王凯、薛成业、苗泽、许长波35一种大尺寸、低电阻4H碳化硅晶棒、低电阻4H碳化硅晶片及制备步调发明专利授权、公布CN202411546269.X2024-11-01CN119041030B2025-04-18宋猛、杨晓俐、张九阳、许长波、徐光明、王凯、好意思丽36一种高温真空炉旋转主轴的电信号传递结构发明专利实验审查的胜利、公布CN202411483925.62024-10-23CN119321804A2025-01-17张健、宋建、马振华、程望、窦文涛、周敏、赵树春、高高亢37一种n型碳化硅单晶晶体、n型碳化硅衬底及半导体器件发明专利实验审查的胜利、公布CN202411417854.X2024-10-11CN119287518A2025-01-10高宇晗、好意思丽、方帅、王路平、王宗玉、石志强、杨晓俐、宁秀秀38一种碳化硅晶体轮回坐褥历程中烧毁物料自动铲凿安装及步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202411335517.62024-09-24CN119077989A2024-12-06宋建、张健、李文强、庞茂鑫、陈一栋、赵树春、周敏、薛传艺、窦文涛、高高亢39一种错误扳手实用新式授权CN202422144280.52024-09-02CN223466222U2025-10-24张会安、张健、宋建、周敏、高高亢、薛传艺、张长银、赵开国、滕永懂40一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标步调偏激应用发明专利实验审查的胜利、公布CN202411193279.X2024-08-28CN118848262A2024-10-29宋猛、俆光明、党一帆、王凯、王旗、刘硕、李祥皓、好意思丽41一种笃定3C-SiC晶体晶向的步调及一种笃定3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜打标主见的步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202411193290.62024-08-28CN119104579A2024-12-10宋猛、党一帆、王凯、王旗、俆光明、杨晓俐、刘硕、舒天宇、好意思丽42一种裁汰碳化硅单晶制备资本的液互助长用坩埚及液相制备步调发明专利公布CN202410997446.X2024-07-24CN118910714A2024-11-08党一帆、朱灿、刘鹏飞、陈鹏磊、宋建、周敏、赵树春、赵开国43一种新式碳化硅晶体助长坩埚实用新式授权CN202421404249.42024-06-19CN222809590U2025-04-29赵光利、史建伟、许登基、杨振鲁、袁舒服44一种齿圈衬套内衬更换工装及更换开拓实用新式授权CN202421153738.72024-05-24CN222289820U2025-01-03杨洋、刘乐乐、郑柯、宋健、周敏、赵树春、窦文涛、王雅儒、高高亢、薛传艺、张长银、赵开国、滕永懂45一种用于长晶炉感应线圈的升降安装偏激安装步调发明专利实验审查的胜利、公布CN202410640686.42024-05-22CN118497899A2024-08-16朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇46一种用于长晶炉感应线圈的升降安装实用新式授权、公布CN202421130329.52024-05-22CN222274793U2024-12-31朱智勇、宁秀秀、张维刚、张长银、王振宇47一种高品性碳化硅衬底偏激制备步妥洽半导体器件发明专利授权、公布CN202410586417.42024-05-13CN118147740B2024-08-13好意思丽、高宇晗、杨晓俐、石志强、彭红宇、潘亚妮、方帅48一种高品性碳化硅衬底偏激制备步妥洽半导体器件发明专利实验审查的胜利、公布CN202411279470.62024-05-13CN119121384A2024-12-13好意思丽、石志强、杨晓俐、潘亚妮、高宇晗、方帅、彭红宇49一种金刚石衬底的名义责罚步调发明专利授权、实验审查的胜利、公布CN202410579028.92024-05-11CN118143760B2024-07-05王旗、刘硕、朱灿、马立兴、李硕、宋猛、王凯、徐光明、刘旭、隋晓明50一种大尺寸金刚石的拼接助长步调发明专利授权、实验审查的胜利、公布CN202410579038.22024-05-11CN118147748B2024-07-19王旗、朱灿、宋猛、刘硕、王凯、党一帆、宋生、李霞、宁秀秀、张九阳、方帅世界杯(中国)